粒成長抑制無酸素銅
MOFC®-GC
C10810
- 熱マネジメント
MOFC-GCは世界最高水準の結晶粒成長抑制性能を有する無酸素銅で、各種電子部品・パワーモジュールの品質向上と工程安定化に貢献します。
ポジショニングマップ
従来の無酸素銅（C10200）と同等の導電率・熱伝導率を有しながら、高温下での結晶粒成長を抑制し、高温プロセス後も微細で均一な結晶組織を実現します。
特長
- 従来の無酸素銅と同等の導電率・熱伝導率を有しています。
- 高温下での結晶粒成長を抑制し、1000℃の熱処理後も微細で均一な結晶組織を維持します。
MOFC-GCを使用することによるメリット
AMB基板などのセラミックス基板の材料に採用することで、以下のような効果が期待できます。
- 光学認識性の向上
- 表面粗さの低減（平滑性の向上、ばらつき低減）
- めっき外観改善
- 銅回路層/セラミックス接合界面の超音波画像検査性の向上
- 基板の反りの安定化
- 耐ヒートサイクル性能の向上
- ワイヤーボンディング接合強度不足の解消（細径ワイヤ使用時など）
- 半導体素子のはんだ付けや焼結材接合のばらつき低減
化学成分
MOFC-GCの化学成分は以下の通りです。
（重量％）
| Cu |
|---|
| 99.95%以上 |
テクニカルデータ
物理的性質
MOFC-GCの物理的性質は以下の通りです。
（重量％）
| 特性 | 代表値 |
|---|---|
| 比重 | 8.94 |
| 熱膨張係数 ×10-6/K (20-300℃) |
17.6 |
| 熱伝導率 W/(m・K) (20℃) |
391 |
| 体積抵抗率 μΩm |
0.017 |
| 導電率 %IACS |
101 |
| 縦弾性係数 kN/mm² |
119 |
| ポアソン比 (293K) |
0.30 |
機械的性質
MOFC-GCの機械的性質は以下の通りです。
| 質別 | 実績例 | |
|---|---|---|
| 1/4H | 1/4H 0.8mm厚 |
|
| 引張強さ N/mm² |
215-275 | 245 |
| 伸び % |
25以上 | 36 |
| ビッカｰス硬さ HV |
- | 71 |
粒成長抑制効果
MOFC-GCは1000℃の熱処理においても結晶粒成長を抑制できることを確認しております。
高い粒成長抑制性能を有するため、AMB接合 (Active Metal Bonding) 後も微細で均一な結晶組織を維持します。
大気雰囲気での熱処理後の結晶粒径
昇温速度: 10℃/min
保持時間: 1h
大気雰囲気での熱処理後の結晶組織
昇温速度:
10℃/min
保持時間: 1h
当社試作品AMB基板表面の結晶組織